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机译:用aEs和Xps研究掺杂氧化锆陶瓷的表面和晶界分析
G. S. A. M. Theunissen; A. J. A. Winnubst; A. J. Burggraaf; X-ray Photoelectron Spectroscopy; Auger Electron;
机译:氧化锆晶界的设计-氧化物陶瓷晶界设计的探索
机译:掺杂氧化钇的纳米晶氧化锆陶瓷晶界中电子积累的直接证据
机译:氧化铝-氧化锆两相陶瓷超塑性变形中晶界滑动的立体学分析
机译:Y_2O_3掺杂AIN陶瓷的晶界相分析
机译:通过晶界开槽实验测量8摩尔%氧化钇-氧化锆双晶体的表面扩散率。
机译:(Nb + In)共掺杂TiO2陶瓷中晶界电容对巨大介电常数影响的证据
机译:掺杂氧化钇稳定氧化锆的晶界研究
机译:用于多层陶瓷电容器的介电陶瓷具有ABO3和R和M辅助成分的晶粒,它们存在于四个相应晶界分析点之和的约70%或以上
机译:用这些方法控制掺杂元素的晶界和周围晶界溶解度的方法以及大颗粒核燃料颗粒的制造过程
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